956ad11748f96b31e869f7fc7523468a

Микросхема 24LC512-I/P, Последовательная энергонезависимая память [DIP-8]

Поставка электронных компонентов в Нижний Новгород

78,41 руб.

x 78,41 = 78,41
Сроки поставки выбранного компонента в Нижний Новгород уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней78,41руб.72,92руб.70,57руб.69,00руб.64,30руб.62,73руб.61,16руб.56,46руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней141,92руб.130,16руб.127,81руб.124,67руб.116,05руб.113,69руб.110,56руб.99,58руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней183,48руб.169,37руб.165,45руб.161,52руб.150,55руб.146,63руб.143,49руб.128,59руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней94,09руб.86,25руб.84,68руб.82,33руб.76,84руб.75,27руб.72,92руб.65,86руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней181,13руб.167,01руб.163,09руб.159,17руб.154,47руб.148,98руб.141,14руб.127,02руб.

Характеристики

24LC512-I/P, Последовательная энергонезависимая память [DIP-8]The 24LC512-I/P is a 512kb (64k x 8) I²C™ Serial Electrically Erasable PROM (EEPROM) capable of operation across a broad voltage range (2.5 to 5.5V). It has been developed for advanced, low-power applications such as personal communications and data acquisition. This device also has a page write capability of up to 128-byte of data. This device is capable of both random and sequential reads up to the 512k boundary. Functional address lines allows up to eight devices on the same bus, for up to 4Mb address space.

• 128-byte page write buffer
• 5ms Maximum page write time
• Hardware write-protect pin
• Factory programming available
• 400µA Maximum read current
• 1µA Maximum standby current
• 2-wire serial interface, I²C™ compatible
• Cascadable up to eight devices
• Schmitt trigger inputs for noise suppression
• Output slope control to eliminate ground bounce
• Self-timed erase/write cycle
• >4000V ESD protection
• More than 1 million erase/write cycles
• >200-year Data retention